Un team di ricerca franco-tedesco ha comunicato di aver sviluppato una cella solare ultrasottile basata sull’arseniuro di gallio (GaAs). Questo è un materiale inorganico e semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici “arsenico” e “gallio”.
Il team è composto da ricercatori della tedesca Fraunhofer ISE (istituto che svolge attività di ricerca e sviluppo per tutte le aree dell’energia solare) e del France’s Centre for Nanoscience and Nanotechnology (centro specializzato in nanoscienze e nanotecnologie).
I risultati – riporta una nota congiunta- sono stati ottenuti attraverso un nuovo processo di fabbricazione che è caratterizzato dall’uso di uno strato di GaAs assorbente spesso 205 nanometri e di uno specchio posteriore nanostrutturato. “L’idea guida – specifica la nota – era quella di concepire uno specchio posteriore nanostrutturato per creare risonanze multiple sovrapposte nella cella solare; le risonanze intervengono sull’assorbimento ottico, che viene migliorato su una vasta gamma che si adatta allo spettro solare, dal visibile all’infrarosso.“.
“Il controllo della fabbricazione di specchi modellati su scala nanometrica è stata una chiave del progetto“, ha aggiunto il team di ricerca.
Si ritiene inoltre che questa tecnologia cellulare possa raggiungere un tasso di efficienza del 25% a breve termine. I risultati della ricerca sono stati pubblicati sulla rivista scientifica Nature Energy (“III-V Photovoltaics and Concentrator Technology“).
