STMicroelectronics – società italo-francese conosciuta per la produzione di componenti elettronici a semiconduttore – si è assicurata ulteriori forniture di substrati di wafer in carburo di silicio (SiC) siglando un nuovo accordo pluriennale con SiCrystal, società del gruppo Rohm che detiene la più alta quota del materiale in Europa. L’accordo prevede la fornitura a STMicroelectronics di oltre 120 milioni di dollari di wafer di carburo di silicio da 150 mm.
Attualmente il carburo di silicio trova ampia applicazione nell’industria dei semiconduttori grazie alle sue caratteristiche elettriche, che lo contraddistinguono dal silicio per le potenziali applicazioni nei dispositivi ad alta potenza, alta frequenza e alte temperature. L’adozione di soluzioni energetiche con SiC sta accelerando sia nel mercato automobilistico, che industriale, ambiti presidiati da STMicroelectronics.
Jean-Marc Chery, presidente e CEO di STMicroelectronics, ha dichiarato: “Questo ulteriore accordo di fornitura di substrato SiC a lungo termine contribuisce alla capacità esterna che abbiamo già garantito e alla capacità interna che stiamo aumentando. Ciò consentirà a STMicroelectronics di aumentare il volume ed equilibrio dei wafer di cui avremo bisogno per soddisfare la forte domanda da parte dei clienti per i progetti automobilistici e industriali nei prossimi anni“.
Robert Eckstein, presidente e CEO di SiCrystal, ha dichiarato: “Siamo molto lieti di stipulare questo accordo di fornitura con un nostro cliente di lunga data. Continueremo a supportare il nostro partner per espandere il business del carburo di silicio aumentando continuamente le quantità di wafer e fornire una qualità affidabile in ogni momento.”
